技術(shù)編號(hào)：7257812
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，包含襯底，包含具有第一表面的第一側(cè)與具有第二表面的第二側(cè);凹陷的硅穿孔(TSV)，貫穿該襯底并相對于該第一側(cè)的該第一表面形成一第一段差;及第一突出的重分布聯(lián)機(jī)(RDL)，填入該第一段差并與該凹陷的硅穿孔銜合。專利說明一種半導(dǎo)體裝置 [0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，尤其系關(guān)于一種具有硅穿孔的半導(dǎo)體裝置。 背景技術(shù) [0002]為了節(jié)省寶貴的布局空間或是增加內(nèi)聯(lián)機(jī)的效率，可將多個(gè)集成電路(IC)芯片堆棧在一起成為一個(gè)I...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。