技術編號：7257782
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一種，所述P型鰭式場效應晶體管，包括半導體襯底，所述半導體襯底上具有凸起的鰭部，鰭部側壁和頂部表面具有柵極結構，所述柵極結構的側壁具有側墻；在柵極結構兩側的鰭部內(nèi)具有凹槽；所述凹槽的側壁和底部表面具有硅鍺層；所述硅鍺層表面具有阻擋層；所述阻擋層上具有金屬層，所述金屬層填充滿凹槽，金屬層、阻擋層和硅鍺層構成P型鰭式場效應晶體管的源/漏區(qū)。相鄰鰭式場效應晶體管的鰭部上的硅鍺層不會發(fā)生橋接現(xiàn)象。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別涉及一種...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。