技術(shù)編號：7256874
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種，所述方法包括通過離子注入法將離子注入原始基板的表面，從而在原始基板中形成薄膜層、分離層和余料層，其中，薄膜層位于原始基板的表面，分離層位于薄膜層和余料層之間，注入離子分布在分離層內(nèi)；使目標(biāo)基板與原始基板的薄膜層接觸，進(jìn)而利用晶片鍵合法將原始基板與目標(biāo)基板鍵合在一起，以形成鍵合體；將鍵合體放入預(yù)定容器內(nèi)以對鍵合體進(jìn)行加熱，使得薄膜層和余料層分離；在薄膜層和余料層分離之后，在預(yù)定容器內(nèi)以高壓的氣氛的條件繼續(xù)對薄膜層和目標(biāo)基板加熱達(dá)預(yù)定時間。本發(fā)...
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