技術(shù)編號：7256841
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種懸空氮化物薄膜LED器件及其制備方法，實現(xiàn)載體為硅襯底氮化物晶片，包括頂層氮化物器件層和硅襯底層；該方法能夠?qū)崿F(xiàn)高折射率硅襯底層和氮化物器件層的剝離，消除硅襯底層對激發(fā)光的吸收，實現(xiàn)懸空氮化物薄膜LED器件；所述頂層氮化物器件層的上表面具有納米結(jié)構(gòu)，用以改善氮化物的界面狀態(tài)，提高出光效率；結(jié)合背后對準(zhǔn)和深硅刻蝕技術(shù)，去除LED器件下方的硅襯底層，得到懸空氮化物薄膜LED器件，進(jìn)一步采用氮化物背后減薄刻蝕技術(shù)，獲得超薄的懸空氮化物薄膜LED器件...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。