技術(shù)編號：7256833
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種MOS晶體管的形成方法，所述MOS晶體管的形成方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底表面的柵介質(zhì)層和所述柵介質(zhì)層表面的柵極；對所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成輕摻雜區(qū)；刻蝕所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底，形成凹槽；對所述凹槽的靠近柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的側(cè)壁進(jìn)行第二暈環(huán)注入，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第二暈環(huán)區(qū)；在所述凹槽內(nèi)形成源極和漏極。所述MOS晶體管的形成方法，可以抑制晶體管的源漏穿通現(xiàn)象，提高晶體管的...
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