技術(shù)編號：7256265
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上至少形成柵極結(jié)構(gòu)；蝕刻所述半導(dǎo)體襯底，以在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成第一溝槽；在所述柵極結(jié)構(gòu)以及所述第一溝槽的側(cè)壁上形成阻擋層，進(jìn)而形成第二溝槽；執(zhí)行濕法蝕刻，以平坦化所述第二溝槽的底部；去除所述阻擋層；在所述第二溝槽中沉積應(yīng)力層。在本發(fā)明中在形成所述第一溝槽后，在所述溝槽的側(cè)壁上形成阻擋層，進(jìn)而形成第二溝槽，并且對所示第二溝槽的底部表面進(jìn)行平坦化，降低了所述第二溝槽底部水平面粗糙度，確保了在后續(xù)工藝中沉積的應(yīng)力...
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