技術(shù)編號：7256177
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。該半導(dǎo)體裝置具備第一～第四半導(dǎo)體層、柵極、場板電極、絕緣膜、第一、第二主電極及絕緣部。第一、第二半導(dǎo)體層為第一導(dǎo)電型。第二半導(dǎo)體層設(shè)置在第一半導(dǎo)體層之上、雜質(zhì)濃度比第一半導(dǎo)體層低。第三半導(dǎo)體層設(shè)置在第二半導(dǎo)體層之上、具有第一部分和第二部分、雜質(zhì)濃度比第二半導(dǎo)體層低。第四半導(dǎo)體層為第一導(dǎo)電型。柵極從第四半導(dǎo)體層朝第二半導(dǎo)體層延伸、下端處于第二半導(dǎo)體層。場板電極設(shè)置在柵極下側(cè)、下端處于第二半導(dǎo)體層。絕緣膜設(shè)置在柵極與第四半導(dǎo)體層之間。第一主電極與第...
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