技術(shù)編號：7256168
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。提供。半導(dǎo)體器件具備含有III族元素的第1氮化物半導(dǎo)體層、第2氮化物半導(dǎo)體層、第3氮化物半導(dǎo)體層、絕緣膜、歐姆電極和肖特基電極。第2氮化物半導(dǎo)體層設(shè)在第1氮化物半導(dǎo)體層上，帶隙大于第1氮化物半導(dǎo)體層。第3氮化物半導(dǎo)體層設(shè)在第2氮化物半導(dǎo)體層上。絕緣膜與第3氮化物半導(dǎo)體層相接地設(shè)在第3氮化物半導(dǎo)體層上。歐姆電極與第2氮化物半導(dǎo)體層歐姆接觸。肖特基電極與第2氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。歐姆電極和肖特基電極之間的第3氮化物半導(dǎo)體層的表面區(qū)域，含有與第3氮化物半導(dǎo)體...
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