技術(shù)編號：7255796
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種半導(dǎo)體器件，包括隔離層，所述隔離層形成在限定在半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)之間的隔離區(qū)中，其中每個隔離層包括第一氣隙；字線，所述字線在與所述隔離層相交的方向上形成在半導(dǎo)體襯底之上，其中每個字線包括隧道絕緣層、浮柵、電介質(zhì)層和控制柵的層疊結(jié)構(gòu)；以及絕緣層，所述絕緣層形成在所述字線之間；其中，所述浮柵的寬度大于每個有源區(qū)的寬度。專利說明[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求2012年8月10日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2012-0087749...
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