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半導體面電阻均勻性的改善方法技術資料下載

技術編號:7254993

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本發(fā)明公開了一種,提供一MOCVD設備,該MOCVD設備包括一加熱器,所述加熱器的邊緣形成有一圈氣孔,清洗氣體通過所述氣孔沿豎直襯底的方向流向半導體的邊緣,通過控制所述清洗氣體的流量以改變半導體邊緣成膜的厚度,減小半導體中心電阻與邊緣電阻之間的電阻差。本發(fā)明通過直接改變半導體邊緣成膜的厚度,可以有效控制半導體邊緣電阻的大小,大大減小半導體邊緣與中心部位的電阻差,實現電阻均勻性的最優(yōu)化。專利說明[0001]本發(fā)明屬于半導體制造領域,特別涉及一種。背景技術[0...
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