技術(shù)編號(hào)：7254867
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種VDMOS結(jié)構(gòu)，包括N型襯底上的N型外延，N型外延上部的P阱，位于P阱和N型外延上方的柵氧化膜，位于柵氧化膜上方的多晶硅平面柵，其中所述P阱上部形成有一凹槽，所述凹槽內(nèi)形成有與所述柵氧化膜形成接觸的金屬硅化物，接觸孔形成于所述金屬硅化物的上面。本發(fā)明的VDMOS結(jié)構(gòu)提供不具有寄生NPN三極管能提高VDMOS結(jié)構(gòu)的抗雪崩擊穿能力。專利說明VDMOS結(jié)構(gòu)[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種VDMOS(垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。