技術(shù)編號：7254765
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在碳化硅基板上形成了多個的半導(dǎo)體元件中形成電極層(1)，在將各個電極層(1)隔開的碳化硅基板的露出面區(qū)域內(nèi)切斷而使半導(dǎo)體元件單片化，用應(yīng)力緩和樹脂(7)覆蓋單片化了的半導(dǎo)體元件的電極層形成面的外周端部中的露出面。由此，得到即使在使用了碳化硅等化合物半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體元件中，也與密封樹脂(R)的粘接力高，且不易由于動作時的熱應(yīng)力而引起密封樹脂(R)的裂紋、剝離的半導(dǎo)體裝置(PM)。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及具有在電力控制中使用的功率半導(dǎo)體元件的...
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