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半導體裝置制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7254748

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與鈍化膜(PL)相接地形成的第1感光性有機絕緣膜(PO1)覆蓋在通過最上層導電層(TCL)而產(chǎn)生的鈍化膜(PL)表面的階梯部(TRE)的整周上,而且在整周上具有相比階梯部(TRE)位于外周側(cè)的外周端緣(ED1)。由此,能夠抑制第1感光性有機絕緣膜(PO1)從鈍化膜(PL)剝離。專利說明半導體裝置 [0001]本發(fā)明涉及半導體裝置,例如涉及具有元件形成區(qū)域和在俯視時包圍該元件形成區(qū)域的保護環(huán)區(qū)域的半導體裝置。 背景技術(shù) [0002]公知有形成以晶圓...
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