技術(shù)編號：7254065
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種用于形成納米線場效應晶體管(FET)器件的方法，所述方法包括在襯底之上形成納米線，在所述納米線的一部分的周圍形成襯里材料，在所述襯里材料上形成蓋帽層，鄰近所述蓋帽層的側(cè)壁并在所述納米線的部分的周圍形成第一間隔物，在所述蓋帽層和所述第一間隔物上形成硬掩模層，去除所述納米線的暴露部分以形成部分地由柵極材料限定的第一腔，在所述第一腔中的所述納米線的暴露截面上外延生長半導體材料，去除所述硬掩模層和所述蓋帽層，在所述第一腔中的外延生長的所述半導體材料的周圍形成第...
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