技術(shù)編號：7254057
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。此處揭露的數(shù)個實施例有關(guān)于薄膜晶體管(TFT)與用以制造薄膜晶體管的方法。特別是，此處的實施例有關(guān)于用以在低溫下形成半導(dǎo)體層的方法，半導(dǎo)體層用于TFT中。半導(dǎo)體層的形成可通過沉積氮化物層或氮氧化物層，例如氮化鋅或氮氧化鋅，且接著將氮化物層為具有不同的氧成分的氮氧化物層。氮氧化物層通過將沉積的氮化物層暴露于約攝氏85度到約攝氏150度之間的溫度下的濕空氣來形成。暴露溫度是低于一般用以直接地形成氮氧化物層或用以對氮氧化物層進行退火的沉積溫度，退火可能在大約攝氏...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。