技術(shù)編號(hào):7252990
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在光電子半導(dǎo)體芯片(1)的至少一個(gè)實(shí)施形式中,所述光電子半導(dǎo)體芯片包括半導(dǎo)體層序列(2)以用于產(chǎn)生電磁輻射。半導(dǎo)體層序列(2)具有光出射側(cè)(25),將光耦合輸出層(4)安置在所述光出射側(cè)上。光耦合輸出層(4)包括由對(duì)于所產(chǎn)生的輻射而言透射的材料制成的輻射不活躍的納米晶體(40)。對(duì)于所產(chǎn)生的輻射而言,納米晶體(40)的材料的折射率為至少1.9或至少2.2。專(zhuān)利說(shuō)明[0001]提出一種光電子半導(dǎo)體芯片。此外,提出一種用于制造光電子半導(dǎo)體芯片的方法。發(fā)明內(nèi)容[...
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