技術(shù)編號(hào)：7252876
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體光檢測(cè)元件（10）包含多個(gè)雪崩光電二極管（APD），其以蓋革模式動(dòng)作并且形成在半導(dǎo)體基板（1N）內(nèi)；滅弧電阻（R1），其相對(duì)于各個(gè)雪崩光電二極管（APD）串聯(lián)連接并且配置在半導(dǎo)體基板（1N）的主面（1Na）側(cè)；以及多個(gè)貫通電極（TE），其與滅弧電阻（R1）電連接且從主面（1Na）側(cè)至主面（1Nb）側(cè)為止貫通半導(dǎo)體基板（1N）而形成。搭載基板（20）包含對(duì)應(yīng)于每個(gè)貫通電極（TE）而配置在主面（20a）側(cè)的多個(gè)電極（E9）。貫通電極（TE）與電極（E9）...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。