技術編號：7252805
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。說明了一種帶有層堆疊的半導體芯片，該層堆疊具有第一半導體層序列（21a）以及第二半導體層序列（21b）。第一半導體層序列（21a）具有第一導電類型的第一半導體區(qū)域（2a）、第二導電類型的第二半導體區(qū)域（2b）和布置其間的有源區(qū)（1a）。該第二半導體層序列（21b）具有第二導電類型的第二半導體區(qū)域（2b）、第一導電類型的第三半導體區(qū)域（2c）和布置其間的第二有源區(qū)（1b）。此外，還說明了一種用于制造這種半導體類型的方法。專利說明[0001]本發(fā)明涉及帶有第一...
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