技術編號：7252644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一些實施例包含存儲器單元。所述存儲器單元可具有第一電極，及在所述第一電極之上的溝槽形狀的可編程材料結構。所述溝槽形狀界定開口。所述可編程材料可經配置以可逆地保持導電橋。所述存儲器單元可具有直接抵著所述可編程材料的離子源材料，并且可具有在由所述溝槽形狀的可編程材料界定的所述開口內的第二電極。一些實施例包含存儲器單元陣列。所述陣列可具有第一導電線，及在所述第一線之上的溝槽形狀的可編程材料結構。所述溝槽形狀的結構可界定其內的開口。離子源材料可直接抵著所述可編程材...
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