技術(shù)編號：7252629
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。提供一種絕緣膜，其為含有硅原子、氟原子及氮原子的絕緣膜，所述絕緣膜具備配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以與該第一氮化硅膜接觸的方式配置的第二氮化硅膜，該第二氮化硅膜中含有的氟量比該第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一種半導(dǎo)體元件，其具有含有銦原子及氧原子的氧化物半導(dǎo)體層以及含有硅原子、氟原子及氮原子的絕緣膜。該半導(dǎo)體元件可以為薄膜晶體管。專利說明[0001]本發(fā)明涉及。另外，本發(fā)明還涉及具有絕緣膜和氧化物半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體元件。背景技術(shù)[0002]...
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