技術(shù)編號：7252624
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。描述了蝕刻圖案化的非均相結(jié)構(gòu)上的暴露硅的方法，且方法包括自含氟前體與含氫前體形成的遠(yuǎn)端等離子體蝕刻。將來自遠(yuǎn)端等離子體的等離子體流出物流入基板處理區(qū)中，等離子體流出物在基板處理區(qū)中與硅的暴露區(qū)反應(yīng)。等離子體流出物與圖案化的非均相結(jié)構(gòu)反應(yīng)，以選擇性移除硅同時(shí)非常緩慢地移除其他暴露材料。硅的選擇性部分是因?yàn)楹瑲淝绑w在遠(yuǎn)端等離子體中的數(shù)量優(yōu)勢，此數(shù)量優(yōu)勢氫終止圖案化的非均相結(jié)構(gòu)上的表面。含氟前體的低很多流動逐漸以氟取代氫終止硅上的氫，藉此自硅的暴露區(qū)選擇性地移除...
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