技術(shù)編號：7252531
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開一種無需大量曝光和硬化引導(dǎo)圖案就能形成20納米級線寬的圖案的用于形成半導(dǎo)體器件精細圖案的方法。方法包括以下步驟（a）在形成有有機防反射涂層的晶片上形成光致抗蝕劑層；（b）曝光光致抗蝕劑層并通過負色性顯影溶液顯影光致抗蝕劑層以形成引導(dǎo)圖案；（c）在形成有引導(dǎo)圖案的晶片上形成中立層；（d）顯影引導(dǎo)圖案以移除引導(dǎo)圖案并形成具有由移除引導(dǎo)圖案造成的開口部的中立層圖案；（e）在形成有中立層圖案的襯底上涂覆定向自組裝（DSA）材料的嵌段共聚物（BCP），在超...
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