技術(shù)編號:7252043
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半極性平面111-氮化物半導(dǎo)體基發(fā)光二極管和激光二極管的氮化鋁鎵阻擋層和分離限制異質(zhì)結(jié)構(gòu)(SCH)層相關(guān)_請的交叉參考本申請根據(jù)美國法典第35條119 (e)款要求由You-Da Lin、Hiroaki 0hta>ShujiNakamura、Steven P. DenBaars 和 James S. Speck 在 2010 年 4 月 5 日提交的名稱為“半極性平面III-氮化物半導(dǎo)體基發(fā)光二極管和激光二極管的AlGaN阻擋層和分離限制異質(zhì)結(jié)構(gòu)(S...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。