技術(shù)編號：7251002
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。具備基板、形成在基板之上的第1氮化物半導(dǎo)體層（1）、層疊在第1氮化物半導(dǎo)體層（1）之上、比該第1氮化物半導(dǎo)體層（1）帶隙大、開設(shè)有底部達(dá)到第1氮化物半導(dǎo)體層（1）而貫通的凹槽部的第2氮化物半導(dǎo)體層（2）、將凹槽部（11）的內(nèi)壁和第2氮化物半導(dǎo)體層（2）覆蓋而層疊、比第1氮化物半導(dǎo)體層（1）帶隙大的第3氮化物半導(dǎo)體層（12）、在凹槽部（11）的上層形成在第3氮化物半導(dǎo)體層（12）上的柵極電極（5）、和分別形成在柵極電極（5）的兩側(cè)方的第1歐姆電極（4a）及第...
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