技術(shù)編號：7250930
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(FET)包含通常被電連接至金屬接觸的源極、漏極與柵極區(qū)域。如果在制造過程中金屬接觸未對準(zhǔn)，金屬接觸的制造可能導(dǎo)致接觸間的短路。發(fā)明內(nèi)容在本發(fā)明的第一方面中，一種形成場效應(yīng)晶體管的方法包含在襯底上形成柵極疊層、在該襯底上鄰近于該柵極疊層的相對側(cè)面形成間隔物，在該襯底上鄰近該柵極疊層的第一側(cè)面上的間隔物形成硅化物源極區(qū)域，在該襯底上鄰近該柵極疊層的第二側(cè)面的間隔物形成硅化物漏極區(qū)域，在該暴露的硅化物源極...
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