技術編號：7250623
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一些實施例包含形成穿過半導體襯底的互連的方法。開口可經(jīng)形成以部分地延伸穿過半導體襯底，且互連的部分可形成于所述開口內(nèi)。另一開口可經(jīng)形成以從所述襯底的第二側(cè)延伸到所述互連的第一部分，且所述互連的另一部分可形成于此開口內(nèi)。一些實施例包含半導體構(gòu)造，其具有穿透襯底互連的第一部分，其從所述襯底的第一側(cè)部分地延伸穿過半導體襯底；及所述穿透襯底互連的第二部分，其從所述襯底的第二側(cè)延伸且具有全部延伸到所述互連的所述第一部分的多個單獨導電指狀部。專利說明[0001]本發(fā)明...
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