技術(shù)編號(hào)：7250329
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)以先進(jìn)緩沖層技術(shù)生長(zhǎng)III族氮化物半導(dǎo)體化合物的方法。在實(shí)施例中，本發(fā)明的方法包括于氫化物氣相外延處理系統(tǒng)的處理腔室中提供合適的襯底。所述方法包括通過(guò)下列步驟形成AlN緩沖層將氨氣流入處理腔室的生長(zhǎng)區(qū)內(nèi)，將含鹵化鋁前驅(qū)物流至所述生長(zhǎng)區(qū)，并同時(shí)將額外的鹵化氫或鹵素氣體流入處理腔室的生長(zhǎng)區(qū)內(nèi)。流入生長(zhǎng)區(qū)內(nèi)的額外鹵化氫或鹵素氣體在緩沖層沉積期間抑制均質(zhì)AlN顆粒形成。在終止含鹵化鋁前驅(qū)物的流動(dòng)的同時(shí)，可持續(xù)使鹵化氫或鹵素氣體流入達(dá)一時(shí)間段。專利說(shuō)明改善...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。