技術(shù)編號：7249433
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。提供了一種用于在襯底中形成超淺摻雜劑區(qū)域的方法。在一個(gè)實(shí)施方案中，該方法包括沉積直接接觸襯底的摻雜劑層，該摻雜劑層包含氧化物、氮化物或氧氮化物，其中摻雜劑層包含選自硼（B）、鋁（Al）、鎵（Ga）、銦（In）、鉈（Tl）、氮（N）、磷（P）、砷（As）、銻（Sb）和鉍（Bi）中的摻雜劑。該方法還包括對摻雜劑層進(jìn)行圖案化，以及通過熱處理使摻雜劑從圖案化的摻雜劑層擴(kuò)散到襯底中而在襯底中形成超淺摻雜劑區(qū)域。專利說明 [0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。