技術(shù)編號：7247987
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種逆導(dǎo)型IGBT的背面結(jié)構(gòu)，包括漂移區(qū)、第一N+緩沖層、絕緣層、P+集電區(qū)、N+短路區(qū)及集電極金屬層；所述P+集電區(qū)與所述N+短路區(qū)中間通過所述漂移區(qū)分隔開；所述N+短路區(qū)的耗盡部分通過所述絕緣層與所述集電極金屬層連接，其他部分直接與所述集電極金屬層連接。本發(fā)明提供的一種逆導(dǎo)型IGBT的背面結(jié)構(gòu)及其制備方法，通過在P+集電區(qū)和N+短路區(qū)之間加入一段低摻雜的N-區(qū)域的漂移區(qū)，這樣能使P+集電區(qū)更大程度的正偏，從而能避免回跳現(xiàn)象的產(chǎn)生，另外此結(jié)構(gòu)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。