技術(shù)編號(hào)：7247980
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種逆導(dǎo)型IGBT的制備方法，包括在襯底上表面制備薄膜層；在制備薄膜層的襯底上表面外延第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)；在所述第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)上制備芯片的正面結(jié)構(gòu)；將制備正面結(jié)構(gòu)的芯片的背面減薄后金屬化形成集電極金屬電極。本發(fā)明提供的一種逆導(dǎo)型IGBT的制備方法，采用正面光刻代替背面光刻，先在襯底正面制作出摻雜圖形，然后外延出緩沖層及漂移區(qū)后進(jìn)行正面工藝，最后通過背面減薄將襯底大部分或全部去掉，這樣在硅片的背面形成第一導(dǎo)電類型區(qū)域與第二導(dǎo)電類型區(qū)域相間...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。