技術(shù)編號：7247905
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種含溝槽結(jié)構(gòu)肖特基嵌位二極管，包括一N型外延層，作為含溝槽結(jié)構(gòu)肖特基嵌位二極管的負極；在N型外延層中形成的多個溝槽，在所述溝槽內(nèi)形成的一層氧化層，位于所述氧化層之上，填充滿所述溝槽的多晶硅；所述多個溝槽及其內(nèi)部的氧化層和多晶硅，構(gòu)成溝槽區(qū)域；在所述溝槽底部形成的且包裹溝槽底部的P型摻雜區(qū)；各P型摻雜區(qū)相互之間不相連；在所述N型外延層和溝槽區(qū)域的上端形成的金屬層，通過該金屬層將N型外延層與所述溝槽區(qū)域相連接，作為含溝槽結(jié)構(gòu)肖特基嵌位二極管正極。...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。