技術(shù)編號：7247591
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及進(jìn)行將熱等離子體向基材照射來處理基材的熱等離子體處理、或者將反應(yīng)氣體所產(chǎn)生的等離子體或等離子體和反應(yīng)氣體流同時(shí)向基材照射來處理基材的低溫等離子體處理等等離子體處理的。背景技術(shù)目前，多晶硅(poly-Si)等半導(dǎo)體薄膜廣泛利用在薄膜晶體管(TFT=Thin FilmTransistor)或太陽能電池中。尤其是poly-SiTFT具有載體移動度高且能夠在玻璃基板這樣的透明的絕緣基板上制作的特征。有效地利用該特征，而將Poly-SiTFT廣泛用于例如構(gòu)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。