技術(shù)編號(hào)：7247105
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種用于TSV刻蝕中改善硅通孔側(cè)壁粗糙度的方法，包含如下步驟步驟1在TSV刻蝕完成后，在反應(yīng)腔中，對(duì)硅通孔的側(cè)壁進(jìn)行氧化；步驟2在反應(yīng)腔中，對(duì)經(jīng)氧化后的硅通孔的側(cè)壁進(jìn)行刻蝕，去除硅通孔的側(cè)壁經(jīng)氧化所形成的氧化層。本發(fā)明能夠大大減低硅通孔側(cè)壁的粗糙度。專利說明用于TSV刻蝕中改善硅通孔側(cè)壁粗糙度的方法[0001]本發(fā)明涉及一種TSV刻蝕工藝，特別涉及一種用于TSV刻蝕中改善硅通孔側(cè)壁粗糙度的方法。背景技術(shù)[0002]隨著集成電路的集成度不斷提高，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。