技術(shù)編號(hào)：7246612
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出了，該功率器件包括襯底、外延層、埋層、源區(qū)，源區(qū)與外延層之間的埋層為導(dǎo)電溝道區(qū)，在靠近導(dǎo)電溝道區(qū)的外延層內(nèi)形成有預(yù)擴(kuò)散區(qū)，該功率器件還包括柵介質(zhì)層、柵極、介質(zhì)層、正面金屬層、背面擴(kuò)散區(qū)和背面金屬層。本發(fā)明預(yù)擴(kuò)散區(qū)使埋層向外延層平緩擴(kuò)展，改善了溝道邊緣擴(kuò)散區(qū)域的形貌，優(yōu)化了器件在高溫高壓下的電場(chǎng)分布，從而降低器件在高溫高壓下的漏電水平，能夠大幅提高功率MOSFET、IGBT等功率器件的熱可靠性，適合高溫、大功率環(huán)境下工作的需要，并且制造過程與現(xiàn)有的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。