技術(shù)編號(hào)：7246293
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種，包括提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底表面依次形成界面材料層、高K介質(zhì)層和多晶硅層；對(duì)多晶硅層表面進(jìn)行第一氮化處理，在多晶硅層表面形成氮硅化合物；第一氮化處理后，在多晶硅層上形成硬掩膜層，硬掩膜層具有暴露多晶硅層表面的氮硅化合物的開口；沿開口刻蝕所述多晶硅層、高K介質(zhì)層和界面材料層，形成界面層、高K柵介質(zhì)層和偽柵；在半導(dǎo)體襯底表面形成層間介質(zhì)層，層間介質(zhì)層的表面與偽柵頂部表面齊平；去除所述偽柵，形成凹槽；在凹槽中填充滿金屬，形成金屬柵極。氮硅化合物能阻止氧...
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