技術(shù)編號(hào):7246206
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種預(yù)先提供一具有多層沉積膜的半導(dǎo)體襯底,在沉積膜表面形成第一底部抗反射層和第一圖案化的光阻膠層,第一圖案化的光阻膠層定義外圍電路的有源區(qū);以第一圖案化的光阻膠層為掩膜,刻蝕半導(dǎo)體襯底至預(yù)定深度形成溝槽;去除第一底部抗反射層和第一圖案化的光阻膠層后,在溝槽內(nèi)及沉積膜的表面沉積第一氧化層;在第一氧化層的表面形成APF、DARC、第二底部抗反射層和第二圖案化的光阻膠層,第二圖案化的光阻膠層定義單元陣列的有源區(qū);以第二圖案化的光阻膠層為掩膜,刻蝕AP...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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