技術(shù)編號(hào)：7245135
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例公開了一種IGBT器件，包括襯底和位于襯底正面的柵極結(jié)構(gòu)和源極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底背面的集電極結(jié)構(gòu)和調(diào)整柵結(jié)構(gòu)，其中，所述集電極結(jié)構(gòu)和調(diào)整柵結(jié)構(gòu)在所述襯底背面相間分布，且二者之間絕緣。在器件的開關(guān)狀態(tài)下，調(diào)整柵結(jié)構(gòu)的電壓高于集電區(qū)電壓，則在所述調(diào)整柵區(qū)域上方會(huì)形成一層電子富集的區(qū)域，使所述IGBT器件在一定的擊穿電壓下，載流子在襯底內(nèi)的漂移區(qū)厚度更薄，器件的關(guān)斷拖尾電流較小，降低了器件在開關(guān)狀態(tài)下的關(guān)斷損耗；在器件的導(dǎo)通狀態(tài)下，調(diào)整柵結(jié)構(gòu)的電壓低...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。