技術(shù)編號：7245070
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出一種肖特基MOS半導(dǎo)體裝，將肖特基勢壘結(jié)代替?zhèn)鹘y(tǒng)MOS器件的源區(qū)和體區(qū)，通過柵極偏壓在漂移區(qū)形成高濃度的載流子區(qū)域，形成器件的溝道；同時本發(fā)明將電荷補償結(jié)構(gòu)引入到肖特基MOS結(jié)構(gòu)中。本發(fā)明還提供一種肖特基MOS半導(dǎo)體裝置的制備方法。專利說明一種肖特基MOS半導(dǎo)體裝置及其制備方法[0001]本發(fā)明主要涉及到一種肖特基MOS半導(dǎo)體裝置，本發(fā)明還涉及一種肖特基MOS半導(dǎo)體裝置的制備工藝。背景技術(shù)[0002]具有肖特基結(jié)構(gòu)和超結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，已成為器...
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