技術(shù)編號：7244953
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種絕緣柵雙極晶體管，本發(fā)明的絕緣柵雙極晶體管在N型基區(qū)表面設(shè)置有P型基區(qū)、N+集電區(qū)、柵氧化層和柵極介質(zhì)，在N型基區(qū)下表面設(shè)置了多晶P型半導(dǎo)體材料作為器件的背P+發(fā)射區(qū)；本發(fā)明的絕緣柵雙極晶體管降低了器件的導(dǎo)通電阻，提高了器件的高頻應(yīng)用能力。本發(fā)明還提供了一種絕緣柵雙極晶體管的制備方法。專利說明[0001]本發(fā)明涉及到一種絕緣柵雙極晶體管，本發(fā)明還涉及一種絕緣柵雙極晶體管的制備方法。背景技術(shù)[0002]絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGa...
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