技術(shù)編號：7244128
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種CMOS圖像傳感器及其制備方法，所述傳感器包括半導(dǎo)體襯底以及位于襯底上的外延層；第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)，位于所述外延層上；光電二極管區(qū)，形成于所述外延層中；第一浮置擴(kuò)散區(qū)和第二浮置擴(kuò)散區(qū)，位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)；層間介質(zhì)層，形成于所述柵極結(jié)構(gòu)和外延層上方；第一接觸塞和第二接觸塞，位于所述層間介質(zhì)層中，其中，所述第一接觸塞位于所述第一浮置擴(kuò)散區(qū)上方并與所述第一浮置擴(kuò)散區(qū)電連接，所述第二接觸塞位于與所述第二柵極結(jié)構(gòu)上方，并與所述第二柵極結(jié)構(gòu)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。