技術(shù)編號：7243764
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種用于測試六管SRAM的漏電流的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，屬于SRAM。該半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)中，其前端結(jié)構(gòu)包括按行和列排列的六管SRAM單元，其后端結(jié)構(gòu)包括從奇數(shù)列的六管SRAM單元的第一擴(kuò)散區(qū)引出的第一焊盤、從偶數(shù)列的六管SRAM單元的第一擴(kuò)散區(qū)引出的第二焊盤、從奇數(shù)列的六管SRAM單元的第二擴(kuò)散區(qū)引出的第三焊盤（PAD3）、從偶數(shù)列的六管SRAM單元的第二擴(kuò)散區(qū)引出的第四焊盤、從第一擴(kuò)散區(qū)所在的第一阱中引出的第五焊盤、從第二擴(kuò)散區(qū)所在的第二阱中引出的第六...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。