技術(shù)編號(hào):7242760
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管,其包括一基底;一第一半導(dǎo)體層、一活性層以及一第二半導(dǎo)體層依次層疊設(shè)置于所述基底的一表面,且所述第一半導(dǎo)體層靠近基底設(shè)置,所述第一半導(dǎo)體層、活性層以及第二半導(dǎo)體層構(gòu)成一有源層;一金屬等離子體產(chǎn)生層設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離基底的一側(cè);一第一光學(xué)對(duì)稱層設(shè)置于所述金屬等離子體產(chǎn)生層遠(yuǎn)離基底的一側(cè),所述第一光學(xué)對(duì)稱層的折射率與有源層的整體的等效折射率之差小于等于0.3;一第二光學(xué)對(duì)稱層設(shè)置于所述第一光學(xué)對(duì)稱層遠(yuǎn)離基底的表面,所述第二光學(xué)對(duì)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。