技術(shù)編號(hào)：7242707
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種TVS器件，該器件棄用擴(kuò)散隔離，而采用高摻雜濃度的低阻襯底，襯底上方通過銦注入制作P型埋層，再進(jìn)行一次低摻雜濃度外延淀積后制作N型埋層，兩種埋層作重?fù)诫s，利用兩種不同類型埋層的摻雜濃度來調(diào)節(jié)瞬態(tài)電壓抑制器的箝位電壓，在埋層上方淀積低摻雜濃度的外延層，器件表面利用N型多晶硅和P型多晶硅引出電極，并且利用熱擴(kuò)散在兩個(gè)表面二極管處形成淺結(jié)，降低結(jié)附近的摻雜濃度，以降低TVS器件的電容。本發(fā)明還公開了所述TVS器件的制造方法。專利說明TVS器件及制...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。