技術(shù)編號：7242025
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求I的上位概念所述的用于局部高摻雜和接通半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是太陽能電池或太陽能電池前體并且具有基區(qū)摻雜類型的娃半導(dǎo)體襯底。背景技術(shù)在基于硅半導(dǎo)體襯底的光伏太陽能電池中已經(jīng)研究出許多方法用來一方面在將入射的電磁輻射轉(zhuǎn)換為電能時達(dá)到高效率并且另一方面實現(xiàn)低成本的工業(yè)生產(chǎn)。尤其是在發(fā)射極和由此分離所產(chǎn)生的載流子對的pn結(jié)構(gòu)造在太陽能電池的用于光入射的正面區(qū)域上或中的太陽能電池中，基區(qū)的電接通通常借助設(shè)置在背面的金屬的接通層來...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。