技術(shù)編號(hào):7241947
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供用于更高效地制造減少了形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)中的裂紋的高品質(zhì)垂直型第III族氮化物半導(dǎo)體LED芯片的方法。該垂直型第III族氮化物半導(dǎo)體LED芯片的制造方法包括在生長(zhǎng)基板上以生長(zhǎng)基板與發(fā)光結(jié)構(gòu)層疊體之間設(shè)置有剝離層的方式通過(guò)順次地堆疊第一導(dǎo)電類型III族氮化物半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型III族氮化物半導(dǎo)體層形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層疊體的第一步驟,第二導(dǎo)電類型不同于第一導(dǎo)電類型;通過(guò)部分去除發(fā)光結(jié)構(gòu)層疊體以使生長(zhǎng)基板部分露出而形成多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光結(jié)構(gòu)的第二步驟;形...
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