技術(shù)編號(hào)：7239850
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及將處理氣體等離子體化來對(duì)基板進(jìn)行蝕刻的蝕刻方法、蝕刻裝置和上述蝕刻方法所使用的環(huán)部件。背景技術(shù)在形成半導(dǎo)體裝置的多層配線結(jié)構(gòu)的工序中，有時(shí)進(jìn)行等離子體蝕刻處理，該等離子體蝕刻處理是在形成于例如由Si (硅)構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片(以下稱為“晶片”)上的各種膜上，形成由槽或通孔構(gòu)成的嵌入(damascene)結(jié)構(gòu)的凹部。進(jìn)行上述等離子體蝕刻處理的裝置具備載置上述晶片的載置臺(tái)和在載置于該載置臺(tái)上的晶片的外周設(shè)置的聚焦環(huán)。該聚焦環(huán)是為了使等離子體在上述晶片表...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。