技術(shù)編號(hào)：7239807
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。總的來說，本公開涉及制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，且更具體地，涉及用于制造分裂柵極非易失性存儲(chǔ)器単元的方法。背景技術(shù)已開發(fā)了分裂柵極非易失性存儲(chǔ)器(NVM)作為提供相對于典型的浮柵極上控制柵極的優(yōu)點(diǎn)。ー個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于對于未選擇的但在被選行上或者替代地在被選列上的存儲(chǔ)器單元減少了編程擾動(dòng)。通常，被選行或被選列上的單元最可能成為擾動(dòng)的問題而與對被選單元執(zhí)行的操作無關(guān)。在分裂柵極存儲(chǔ)器單元已經(jīng)基本上解決了對于被選行或列上的単元的編程擾動(dòng)問題的情況下，對于未選擇的行或未選擇的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。