技術(shù)編號：7239015
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體涉及一種在半導(dǎo)體 器件中形成接觸的方法。背景技術(shù)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(DRAM)器件的半導(dǎo)體器件包含多層金屬線。 因此，要求用于形成接觸的工藝連接上金屬線與下金屬線。近年來，隨著半導(dǎo)體器件高度集成，增加了接觸的縱橫比(aspect ratio)。因此，在形成接觸的工藝期間發(fā)生各種問題。這些問題將參照 圖1A到1C更詳細(xì)地說明。參照圖1A,包含位線導(dǎo)電層11A和位線硬掩模層11B的位線11形 成在包含特定下部結(jié)構(gòu)的襯...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。