技術(shù)編號(hào)：7239012
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，更特別地涉及一種在半導(dǎo)體 器件中制造細(xì)微圖案的方法。背景技術(shù)由于半導(dǎo)體器件已經(jīng)高度集成化，因此需要縮小圖案。然而，典型曝 光設(shè)備的分辨率對(duì)于在半導(dǎo)體器件中具體實(shí)施在40nm以下的細(xì)微圖案存 有限制。因此，提出一種兩次實(shí)施光刻過程的雙重圖案化方法以形成細(xì)微圖案。 下文中，將參照?qǐng)D1A到1D來^L明該雙重圖案化方法。圖1A到1D是形成典型細(xì)微圖案的方法的剖面視圖。參照?qǐng)D1A，在蝕刻目標(biāo)層10上方順序形成第一硬掩模層11和第二...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。