技術(shù)編號：7237975
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造非易失性存儲器件的方法，更尤其涉及制造釆用氧 化鋁(Ah03)層作為介電層的非易失性存儲器件的方法。背景技術(shù)如果不供給電源，那么常規(guī)的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)器件丟 失存儲數(shù)據(jù)。在常規(guī)的DRAM器件中，晶體管作為開關(guān)元件，電容器 作為數(shù)據(jù)存儲器元件。因此，DRAM器件是一種易失性存儲器件，其 中當(dāng)電源斷開時內(nèi)部數(shù)據(jù)丟失。為克服DRAM的這種缺點，對非易失性存儲器件進(jìn)行研究，在一 種DRAM中實現(xiàn)DRAM的高速寫入能力以及非易失性能。即，...
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